Capacité : 512 GoVitesse de lecture séquentielle max. : 460 Mo/s à 510 Mo/sVitesse d’écriture séquentielle max. : 360 Mo/s à 460 Mo/sMax. Lecture aléatoire 4K IOPS : 20 000 à 68 000Max. Écriture aléatoire 4K IOPS : 45 K à 76 KConsommation électrique : 1,3 W à 3,7 WTBW (total d’octets écrits) : 40 To à 1 920 ToSupport de stockage : NAND 3DInterface : SATA IIIMTBF (temps moyen entre pannes) : 1 500 000 heuresTempérature de fonctionnement : 0°C à 70°CTempérature de stockage : -40°C à 85°C
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