IRF640NPBF CIT-225

Description

Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V • Tension drain à source (Vds) de 200V • Tension grille à source de ±20V • Résistance On Rds(on) de 150mohm • Dissipation de puissance (Pd) 150W à 25°C • Courant de drain continu Id de 18A à Vgs 10V et 25°C • Plage de température de jonction de -55°C à 175°C

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